Ene 22 2020

Modelado avanzado de memorias: circuitos y redes de memorias – Valeri Mladenov [ES] [ULD]

Descripción:

La investigación de nuevos esquemas de memoria, redes neuronales, sistemas informáticos y muchos otros dispositivos electrónicos mejorados es muy importante para las futuras generaciones de circuitos electrónicos y para su aplicación generalizada en todas las áreas de la industria. De manera relacionada, el análisis de nuevos elementos y circuitos electrónicos eficientes y avanzados es un campo esencial de la ingeniería eléctrica y electrónica altamente desarrollada. El fenómeno de cambio de resistencia, observado en muchos óxidos amorfos, se ha investigado desde 1970 y promete su inclusión en tecnologías para construir nuevas memorias electrónicas.

Se ha establecido que tales materiales de óxido tienen la capacidad de cambiar su conductancia de acuerdo con el voltaje aplicado y memorizar su estado durante un largo intervalo de tiempo. Leon Chua pronosticó un comportamiento similar para el elemento memristor en 1971. El memristor fue propuesto de acuerdo con consideraciones de simetría y las relaciones entre las cuatro cantidades eléctricas básicas: corriente eléctrica i, voltaje v, carga q y enlace de flujo Ψ. El memristor es un elemento pasivo de un puerto, junto con el condensador, el inductor y la resistencia. El grupo de investigación Williams Hewlett Packard (HP) ha establecido un vínculo entre los dispositivos de conmutación resistiva y el memristor propuesto por Chua. Además, se han publicado varios documentos científicos relacionados con memristors y dispositivos memristor y se han propuesto varios modelos para ellos. El memristor es un componente altamente no lineal. Relaciona la carga eléctrica q y el enlace de flujo Ψ, expresado como una integral de tiempo del voltaje v. Tiene la capacidad importante de recordar la carga eléctrica que pasa a través de su sección transversal, y su resistencia respectiva, cuando se conmutan las señales eléctricas apagado. Debido a sus dimensiones a escala nanométrica, a la no volatilidad y a las propiedades de memorización, el memristor es un candidato potencial de sonido para aplicaciones en memorias de computadora de alta densidad, redes neuronales artificiales y muchos otros dispositivos electrónicos.

Esta monografía resume los resultados de varios de los artículos del autor sobre memristores y circuitos de memristores. Estos documentos se basan especialmente en memristores de dióxido de titanio, que todavía tienen una aplicación muy amplia, y por esta razón son los principales objetos de investigación. Está organizado de la siguiente manera. El Capítulo 1 es una introducción a los memristores; Se presenta la descripción física básica de la nanoestructura del memristor de dióxido de titanio y los procesos asociados con la corriente iónica. En el Capítulo 2, los fundamentos del modelado y simulación de memristor de dióxido de titanio se describen en detalle, utilizando los modelos existentes y los modelos modificados por el autor. El Capítulo 3 informa el análisis de varios dispositivos y circuitos básicos de memristor, tales como generadores de memristor, integradores y circuitos antiparalelos y en serie, aplicando los modelos de memristor del autor. En el Capítulo 4, se muestra la investigación de las redes de memristor (memorias y neuronas artificiales), prestando atención a los parámetros y propiedades eléctricas básicas de los modelos y dispositivos de memristor propuestos, y especialmente a los circuitos sinápticos de memristor modificados. Finalmente, se presentan las observaciones finales.

Datos Técnicos:

Peso: 1.3 Mb

Idioma: Español

Formato: PDF

Autor: Valeri Mladenov

Año: 2019

Nº De Páginas: 139

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